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全球NAND大廠相繼投入96層NAND Flash制程，加快市場(chǎng)價(jià)格跌幅加速。SK海力士

從2017年供不應(yīng)求的榮景，NAND Flash市況在2018年進(jìn)入風(fēng)云變色的調(diào)整期，生產(chǎn)業(yè)者持續(xù)擴(kuò)大64層3D TLC NAND供貨，新一代制程技術(shù)及更大容量規(guī)格正伺機(jī)而出，供過于求與終端市場(chǎng)買氣不足，導(dǎo)致2018年NAND Flash跌價(jià)幅度超過6成。

到2018年底，每GB價(jià)格已下探至0.08美元，逐漸逼近部分廠商的成本價(jià)，在跌價(jià)、擴(kuò)產(chǎn)等多重因素影響下，2019年市況風(fēng)云詭譎，供應(yīng)鏈洗牌淘汰賽一觸即發(fā)，也為全球產(chǎn)業(yè)的競(jìng)合局勢(shì)更加增添煙消四起的氛圍。

全球半導(dǎo)體廠商新工廠布局情況

全球SSD出貨量預(yù)測(cè)

2H18 2.5" SSD SATA3 480GB TLC 價(jià)格走勢(shì)

NAND位產(chǎn)出連年成長(zhǎng)　終端市場(chǎng)亂象橫生

DRAM與NAND Flash內(nèi)存市場(chǎng)在過去幾年幾經(jīng)產(chǎn)業(yè)跌宕，在供過于求壓力下，2015~2016年市價(jià)下滑，2017年再度風(fēng)生水起、漲勢(shì)不止，然而產(chǎn)業(yè)榮景未如預(yù)期延續(xù)，各家大廠競(jìng)相強(qiáng)化投資規(guī)模，3D NAND Flash新增產(chǎn)能開出，市場(chǎng)需求卻成長(zhǎng)平緩，加速2018年全球NAND Flash價(jià)格一路走跌。

受到技術(shù)與良率瓶頸，2018年3D NAND良率提升速度并不如預(yù)期順利，因而導(dǎo)致次級(jí)品在外流通銷售，進(jìn)而干擾市場(chǎng)價(jià)格，對(duì)應(yīng)至終端應(yīng)用，消費(fèi)型SSD市場(chǎng)首當(dāng)其沖。

從2017年12月中~2018年第3季跌價(jià)幅度已經(jīng)逾5成，120G SSD價(jià)格超跌下探0.2美元∕GB關(guān)卡，質(zhì)量參差不齊的問題延續(xù)至第3季，至于240GB和480GB價(jià)格在2018年累積跌幅也分別超過4~5成以上。

業(yè)界原先期待在第3季傳統(tǒng)旺季效應(yīng)下，NAND Flash價(jià)格有望止跌反彈，不料智能型手機(jī)出貨平淡、換機(jī)熱潮難再重現(xiàn)以及PC市場(chǎng)飽和等因素，導(dǎo)致旺季不旺，而供應(yīng)端的64/72層3D NAND產(chǎn)出增加，供給過剩庫(kù)存無(wú)法順利去化，第3季平均合約價(jià)格跌幅達(dá)10~15%。

相較于第3季市況呈現(xiàn)價(jià)跌量增，到了第4季進(jìn)入了價(jià)量齊跌的局面，美中貿(mào)易戰(zhàn)升溫的市場(chǎng)憂慮、英特爾(Intel)CPU缺貨以及蘋果(Apple)新機(jī)銷售欠佳，終端預(yù)期跌價(jià)心理因素，加速了第4季合約價(jià)跌幅擴(kuò)大，業(yè)界估計(jì)，從年初至第4季的NAND Flash跌幅約達(dá)6成，遠(yuǎn)超過年初預(yù)期。

據(jù)DIGITIMES Research估計(jì)，NAND Flash位出貨量從2017年起連續(xù)呈現(xiàn)3~4成的成長(zhǎng)率，包括在2017年成長(zhǎng)36%、2018年拉升至成長(zhǎng)43%，即使業(yè)界預(yù)期，2019年NAND Flash價(jià)格將會(huì)進(jìn)一步走跌，但依舊有更多產(chǎn)能前仆后繼投入，預(yù)計(jì)2019年位出貨量仍達(dá)到39%，整體市場(chǎng)延續(xù)供過于求風(fēng)雨欲來(lái)。

96層堆棧邁向主流　QLC量產(chǎn)帶來(lái)容量?jī)r(jià)格戰(zhàn)

NAND Flash技術(shù)制程的升級(jí)，在強(qiáng)化了個(gè)別企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力之余，也發(fā)揮了大容量及儲(chǔ)存密度的成本優(yōu)勢(shì)，國(guó)際大廠如三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)與威騰(WD)、美光(Micron)、英特爾、SK海力士(SK Hynix)投入軍備競(jìng)賽的戰(zhàn)線延長(zhǎng)。

目前3D NAND已是各大原廠主要量產(chǎn)制程，其中，三星3D NAND約占85%、東芝與威騰為75%、美光達(dá)到90%，SK海力士也達(dá)到60%，2018年下半起，部分業(yè)者已轉(zhuǎn)向96層堆棧邁進(jìn)，單顆Die容量也邁入1Tb(128GB)。

各家NAND業(yè)者大舉進(jìn)攻新世代制程，2018年也是QLC(4bit/cell)架構(gòu)量產(chǎn)元年，相較目前TLC NAND，QLC NAND技術(shù)的位密度高出了33%，將可發(fā)揮高容量?jī)?yōu)勢(shì)。

其中美光搶得業(yè)界先發(fā)量產(chǎn)，首先將64層QLC產(chǎn)品推入企業(yè)級(jí)應(yīng)用，鎖定服務(wù)器市場(chǎng)，而三星也不甘示弱切入消費(fèi)性電子市場(chǎng)，并推出1Tb QLC SSD新品，后續(xù)再推出企業(yè)用QLC SSD。三星近期宣布QLC SSD產(chǎn)品價(jià)格，比起2018年1月上市相同容量的TLC SSD約便宜40%左右，儼然透露出積極價(jià)格攻勢(shì)的強(qiáng)烈企圖。

部分反應(yīng)較快的廠商早，已嗅到大容量?jī)r(jià)格戰(zhàn)的到來(lái)，從年中起陸續(xù)降價(jià)出清庫(kù)存的中小型容量SSD，試圖降低QLC帶來(lái)的沖擊，接下來(lái)SK海力士、威騰與東芝也將各自推出自家的QLC產(chǎn)品，容量最高可達(dá)單顆4TB的儲(chǔ)存量，TB級(jí)SSD時(shí)代即將來(lái)臨。

不過先前一度傳出64層QLC良率偏低，QLC晶粒良率僅約5成左右，以此估計(jì)，2019年上半恐怕將再度重演2018年市場(chǎng)次級(jí)品拖累價(jià)格的夢(mèng)魘，且QLC制程更為困難，估計(jì)業(yè)界改善量產(chǎn)良率的時(shí)間可能會(huì)再拖長(zhǎng)。

大陸內(nèi)存業(yè)者崛起　NAND扮演領(lǐng)頭羊

據(jù)大陸市調(diào)公司統(tǒng)計(jì)，2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到1,500億美元，其中NAND Flash超過570億美元，而大陸市場(chǎng)消耗了全球產(chǎn)能的32%，這意味著大陸已成為全球主要的市場(chǎng)，為了擺脫長(zhǎng)期對(duì)外采購(gòu)的依賴，大陸內(nèi)存芯片自主發(fā)展成為當(dāng)務(wù)之急。

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不過福建晉華與美光從互控侵權(quán)、進(jìn)而演變?yōu)槊绹?guó)政府對(duì)福建晉華祭出禁令后，大陸DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展勢(shì)必將遭到延宕，而長(zhǎng)江存儲(chǔ)邁入量產(chǎn)正蓄勢(shì)待發(fā)，成為大陸自主NAND技術(shù)突圍發(fā)展的重要指標(biāo)廠商。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的32層3D NAND已順利問世，并進(jìn)入小量生產(chǎn)，但32層堆棧制程缺乏競(jìng)爭(zhēng)力，據(jù)業(yè)界指出，日前長(zhǎng)江存儲(chǔ)采取Xtacking架構(gòu)的64層NAND樣品，已送交給相關(guān)供應(yīng)鏈進(jìn)行測(cè)試。

由于讀寫質(zhì)量大致穩(wěn)定，若進(jìn)度符合預(yù)期，預(yù)計(jì)最快2019年第3季將可望投產(chǎn)，屆時(shí)將有機(jī)會(huì)轉(zhuǎn)虧為盈，而長(zhǎng)江存儲(chǔ)也規(guī)劃2020年將跳過96層3D NAND，截道超車跨向128層3D NAND。

隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)武漢存儲(chǔ)基地一期已投入生產(chǎn)，原預(yù)計(jì)產(chǎn)能為10萬(wàn)片，實(shí)際產(chǎn)能可達(dá)15萬(wàn)片，而武漢存儲(chǔ)基地二期也緊接著開工，并持續(xù)擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，隨著量產(chǎn)技術(shù)提升及規(guī)劃產(chǎn)能30萬(wàn)~45萬(wàn)片全數(shù)開出，未來(lái)將有機(jī)會(huì)搶進(jìn)全球約10%市占率。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的母公司清華紫光集團(tuán)同時(shí)在其他據(jù)點(diǎn)推展建設(shè)進(jìn)度，包括南京廠與成都廠先后于年底前進(jìn)入動(dòng)工階段，合計(jì)三大生產(chǎn)基地將投入人民幣1,800億元生產(chǎn)3D NAND芯片，另一方面，紫光集團(tuán)也頻頻招手英特爾合作，欲傾集團(tuán)資源之力全速發(fā)展NAND Flash制程。

業(yè)界認(rèn)為，大陸崛起進(jìn)入NAND Flash市場(chǎng)只是時(shí)間問題，雖然2019年仍處于試車階段，但在逐漸增加產(chǎn)出貢獻(xiàn)后，在進(jìn)行技術(shù)轉(zhuǎn)變的過程中，仍需要解決量產(chǎn)良率的問題，而良率不合格問題產(chǎn)品是否將影響市場(chǎng)秩序，將值得觀察。

全球群雄逐鹿　NAND產(chǎn)業(yè)腥風(fēng)血雨

相較于DRAM產(chǎn)業(yè)在經(jīng)歷了汰弱留強(qiáng)后，如今全球僅剩下三星、美光與SK海力士等三大巨擘，而三星更占據(jù)全球DRAM近5成市占， NAND產(chǎn)業(yè)正處于戰(zhàn)國(guó)群雄各自割據(jù)，各家供給產(chǎn)出擴(kuò)張、價(jià)格下滑刺激需求，將為2019年NAND產(chǎn)業(yè)帶來(lái)契機(jī)、也帶來(lái)嚴(yán)峻考驗(yàn)。

三星已宣布量產(chǎn)第五代90層以上3D NAND Flash，并將陸續(xù)投資70億美元在大陸西安設(shè)立第二家NAND Flash制造工廠；東芝與威騰合作四日市工廠Fab 6從2018年9月起量產(chǎn)96層3D NAND；市占率最低的英特爾也宣布位于大連的第二期NAND工廠投產(chǎn)，并生產(chǎn)96層3D NAND；SK 海力士于10月在南韓忠清北道清州舉行M15工廠啟用典禮，開始生產(chǎn)96層堆棧的3D NAND。

雖然在價(jià)格跌幅不只的壓力下，近來(lái)東芝與威騰有意放緩四日市工廠第二期的96層3D NAND機(jī)臺(tái)設(shè)備導(dǎo)入進(jìn)度，而美光也預(yù)計(jì)2019財(cái)年NAND晶圓產(chǎn)能的資本支出將較2018年度調(diào)降等，但群雄逐鹿NAND產(chǎn)業(yè)版圖，預(yù)料各大NAND業(yè)者擴(kuò)充軍備仍將馬不停蹄。

除了加碼投資力道外，產(chǎn)業(yè)技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)也延伸至技術(shù)人才挖角，據(jù)傳，英特爾為了建立大連廠3D NAND團(tuán)隊(duì)，分別鎖定三星與SK海力士的核心工程師，另一方面，英特爾近日也控告前員工竊取3D Xpoint技術(shù)數(shù)據(jù)后投奔美光，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)搶人大戰(zhàn)延伸至內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)線越趨激烈。

此刻必須回頭再思考的是，為何NAND業(yè)界仍要繼續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)能？受惠于降價(jià)帶動(dòng)消費(fèi)性SSD搭載率將加速成長(zhǎng)，2019年SSD滲透率將有機(jī)會(huì)與HDD進(jìn)入交叉點(diǎn)，另一方面，在人工智能、云端運(yùn)算、邊緣運(yùn)算、物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用快速普及的情況下，衍生的大數(shù)據(jù)演算需求，將對(duì)儲(chǔ)存裝置對(duì)容量、可靠度與效能的要求也越來(lái)越高。

2018年NAND價(jià)格已回到了2016年漲價(jià)前的價(jià)格水平，短暫的NAND Flash缺貨漲價(jià)美好時(shí)代已然結(jié)束，取而代之的將是透過降價(jià)激勵(lì)，而帶動(dòng)各類應(yīng)用需求成長(zhǎng)百花齊放，伴隨而來(lái)的將是強(qiáng)者愈強(qiáng)、技術(shù)性能取勝的產(chǎn)業(yè)淘汰賽，2019年NAND Flash產(chǎn)業(yè)再現(xiàn)洗牌效應(yīng)，更將掀起全面性的儲(chǔ)存容量?jī)r(jià)格戰(zhàn)。(2019年產(chǎn)業(yè)展望系列)