存儲業(yè)務(wù)壓力大，三星2020推3nm工藝，提高晶圓代工增加獲利

發(fā)布時間 : 2018-12-13 文章來源：

2018年NAND Flash價格持續(xù)大跌，DRMA漲價也告一段落，價格也在持續(xù)下滑。市場預(yù)計NAND Flash和DRAM跌價將在2019上半年持續(xù)發(fā)酵。在價格下滑的沖擊下，存儲廠商營收將受到影響，再加上智能型手機需求下滑，三星正在提高晶圓代工的競爭力，3nm工藝已經(jīng)完成了性能驗證，將于2020年大規(guī)模量產(chǎn)。

美光曾在財報中預(yù)估2019年DRAM產(chǎn)業(yè)bit產(chǎn)出量增長20%，NAND產(chǎn)業(yè)bit產(chǎn)出量增長35%-40%。NAND Flash和DRAM供應(yīng)增加是導(dǎo)致價格下滑的主因。花旗更是預(yù)估2019年DRAM價格至少會降價30%。

臺積電大約占據(jù)全球晶圓代工市場60%的份額。在3nm節(jié)點上，臺積電曾表示將投資200億美元左右建3nm圓晶廠，預(yù)計到2022年才會量產(chǎn)3nm制程技術(shù)。

為了彌補存儲器降價帶來的沖擊，三星2019年將加強晶圓代工業(yè)務(wù)。三星晶圓代工曾在32nm、14nm及10nm節(jié)點率先量產(chǎn)，雖然目前在7nm節(jié)點上落后了臺積電，但三星已投資56億美元新建晶圓廠，計劃2019下半年開始量產(chǎn)7nm以下制程技術(shù)，并推進3nm工藝，將在2020年大規(guī)模量產(chǎn)，屆時有望趕超臺積電，提高市場競爭力。

另據(jù)知情人士透露，三星電子將更換其5G網(wǎng)絡(luò)設(shè)備業(yè)務(wù)負責人，該部門目前正在快速擴大全球份額，三星的目標是兩年內(nèi)贏得全球20％的5G設(shè)備市場。

目前該業(yè)務(wù)負責人由Kim Young－ky擔任。Kim Young－ky卸任后，將繼續(xù)擔任該公司顧問一職。三星將在下周公布年底人事變動時宣布該消息。