全球3D NAND Flash戰(zhàn)火一觸即發(fā)

發(fā)布時(shí)間 : 2016-07-14 文章來源：

未來3D NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格將快速下滑。圖為NAND Flash內(nèi)存晶圓。法新社

全球大容量3D NAND Flash不再是由韓廠三星電子(Samsung Electronics)獨(dú)家量產(chǎn)，隨著美、日系內(nèi)存大廠紛投入量產(chǎn)，未來3D NAND Flash可望成為儲(chǔ)存裝置主流，快速應(yīng)用在智能型手機(jī)與PC等產(chǎn)品上，盡管目前3D NAND Flash價(jià)格仍偏高，然隨著眾廠火力全開、擴(kuò)大市場，后續(xù)價(jià)格將快速下滑，且主流USB隨身碟與記憶卡容量亦將再度增大。

3D NAND Flash系將電路多層堆棧以增加單位面積內(nèi)電路密度，較2D NAND Flash擁有更高的速度與穩(wěn)定度，最早系由日廠東芝(Toshiba)展出相關(guān)技術(shù)，但卻是由三星率先量產(chǎn)，并在高階智能型手機(jī)Galaxy S7首度搭載3D NAND Flash技術(shù)芯片。
2016年起包括美系大廠美光(Micron)、韓廠SK海力士(SK Hynix)及日廠東芝，均宣布量產(chǎn)3D NAND Flash。東芝在日本三重縣四日市增建3D NAND Flash工廠；SK海力士位于南韓清州M12廠將轉(zhuǎn)成生產(chǎn)3D NAND Flash廠房，利川新廠房M14亦將量產(chǎn)3D NAND Flash；美光新加坡10X工廠將轉(zhuǎn)為3D NAND Flash廠房；英特爾(Intel)大陸大連廠也將轉(zhuǎn)成3D NAND Flash工廠。
目前3D NAND Flash主流產(chǎn)品容量是256Gb，單價(jià)約10美元，相較于傳統(tǒng)2D NAND Flash容量128Gb產(chǎn)品單價(jià)僅4~5美元，3D NAND Flash單位容量價(jià)格依然偏高，不過，隨著市場上大容量芯片貨源快速增加，削價(jià)競爭戰(zhàn)火一觸即發(fā)，一旦3D NAND Flash產(chǎn)品良率與容量有效拉升，將快速取代傳統(tǒng)2D NAND Flash市場。
由于3D NAND Flash可制成容量更大的內(nèi)存裝置，廠商紛預(yù)期3D NAND Flash大量投入市場后，USB隨身碟與記憶卡主流容量將從128GB增到512GB以上，且大容量固態(tài)硬盤(SSD)亦將快速增加，且在3D NAND Flash大幅降價(jià)之際，既有USB隨身碟、記憶卡與SSD恐將先降價(jià)。
出處：法新社

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