DRAM價(jià)格飆漲帶動(dòng)2017年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值沖破4000億美元，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)SEMI預(yù)估，在三星電子、SK海力士(SK Hynix)持續(xù)擴(kuò)展DRAM產(chǎn)能下，2018年DRAM供給端產(chǎn)能可能再成長(zhǎng)10%，這是很大的成長(zhǎng)，然終端需求也急起直追，估計(jì)到2021年，DRAM年成長(zhǎng)率上看30%。

存儲(chǔ)器DRAM和3D NAND是這兩年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要推手，2017年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值4000億美元當(dāng)中，DRAM營(yíng)收成長(zhǎng)高達(dá)75%，3D NAND成長(zhǎng)45%，兩大領(lǐng)域都遠(yuǎn)高于整體IC產(chǎn)業(yè)20%的平均成長(zhǎng)力道。

觀察全球DRAM產(chǎn)業(yè)三大陣營(yíng)三星、海力士、美光，三星、SK海力士?jī)纱箜n系陣營(yíng)在擴(kuò)產(chǎn)腳步上是急踩油門，包括三星在韓國(guó)平澤(Pyeongtaek)的P1廠房和Line 15生產(chǎn)線，以及SK海力士的M14生產(chǎn)線；再者，美光在廣島的Fab 15和Fab 16也有DRAM擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，但主要的增加仍是在韓系兩大陣營(yíng)。

SEMI估計(jì)，2017年DRAM廠設(shè)備支出約130億美元，較前一年是成長(zhǎng)一倍，預(yù)計(jì)2018年持續(xù)成長(zhǎng)至140億美元水平；再者，2017年DRAM產(chǎn)能增加幅度是3%，2018年成長(zhǎng)幅度上看10%。

針對(duì)NAND產(chǎn)業(yè)，目前有擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃的業(yè)者包括三星平澤廠、SK海力士的M14生產(chǎn)線、美光Lehi和新加坡Fab 10X、東芝Fab 2/Fab 6，以及英特爾大連廠(Fab 68)等。

SEMI也估計(jì)，2017年NAND產(chǎn)業(yè)設(shè)備支出約190億美元，較前一年100億美元飛躍性成長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2018年NAND產(chǎn)業(yè)設(shè)備支出上看200億美元；而3D NAND產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)能在2017年成長(zhǎng)130%，2018年預(yù)計(jì)再成長(zhǎng)48%。

無(wú)論是DRAM和NAND Flash陣營(yíng)對(duì)于擴(kuò)增產(chǎn)能都是雄心壯志，但不要忽略需求端也是呈現(xiàn)大噴發(fā)姿態(tài)，根據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，一直到2021年，DRAM需求端的成長(zhǎng)率高達(dá)30%，而NAND Flash更是高達(dá)45%。

再者，驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)往前沖刺的力道，可細(xì)分為四大驅(qū)動(dòng)力，第一為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)相關(guān)應(yīng)用；第二類是大規(guī)模運(yùn)算(Large-Scale computing)，涵蓋固態(tài)硬盤(pán)(SSD)、存儲(chǔ)器磁碟陣列Flash Arrays、人工智能(AI)、深度學(xué)習(xí)(Deep Learning)系統(tǒng)等；第三類是汽車電子相關(guān)應(yīng)用；第四類是消費(fèi)性產(chǎn)品、通訊產(chǎn)品等，可謂是各種應(yīng)用產(chǎn)品都少不了存儲(chǔ)器元件。

在三星、SK海力士(SK Hynix)努力擴(kuò)產(chǎn)存儲(chǔ)器下，韓國(guó)在2017年成為全球半導(dǎo)體設(shè)備支出的最大地區(qū)，從2016年的80億美元跳躍成長(zhǎng)至180億美元，預(yù)計(jì)2018年也將達(dá)169億美元的支出金額。

同時(shí)，SEMI預(yù)估，2018年大陸在半導(dǎo)體設(shè)備支出金額約113.3億美元，成為第二大地區(qū)。

值得注意的是，SEMI分析，過(guò)去大陸的晶圓廠投資大多來(lái)自外來(lái)廠商，但2018年長(zhǎng)江存儲(chǔ)、福建晉華、華力、合肥長(zhǎng)鑫等許多新進(jìn)業(yè)者，都計(jì)劃在大陸大舉投資設(shè)廠，并且建置中，也將會(huì)增加設(shè)備投資金額。