NAND Flash缺貨態(tài)勢(shì)有機(jī)會(huì)在2018年第1季緩解。李建梁攝

2017年全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)景氣復(fù)蘇，包括消費(fèi)性電子、網(wǎng)通、SSD等各類需求竄出，然上游晶圓缺貨，在產(chǎn)能擴(kuò)充不及、供應(yīng)極度緊張情況下，后段內(nèi)存封測(cè)廠營(yíng)運(yùn)得各顯神通，供應(yīng)鏈業(yè)者表示，隨著3D NAND Flash良率逐漸改善，2018年第1季NAND Flash供應(yīng)問(wèn)題可望緩解，內(nèi)存相關(guān)封測(cè)業(yè)者力成、華泰、南茂、華東等可望松口氣，后續(xù)并將爭(zhēng)取大陸紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)訂單商機(jī)。

內(nèi)存模塊業(yè)者透露，目前DRAM需求與獲利皆呈現(xiàn)正向循環(huán)，短期內(nèi)全球DRAM大廠對(duì)于產(chǎn)能擴(kuò)建相對(duì)理性，DRAM后市可望持穩(wěn)。至于在NAND Flash領(lǐng)域，內(nèi)存大廠3D NAND良率持續(xù)精進(jìn)，估計(jì)2017年第4季為NAND Flash價(jià)格高峰，2018年供應(yīng)緊張狀況可望緩解。

NAND Flash供需緊張紓解，對(duì)于手握非韓系各大內(nèi)存廠封測(cè)訂單的力成來(lái)說(shuō)影響有限，但對(duì)于二線中、小型內(nèi)存封測(cè)業(yè)者將有助于營(yíng)運(yùn)改善，包括華泰等二線業(yè)者2017年受到內(nèi)存產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇的幫助不大，第4季必須仰賴EMS代工服務(wù)來(lái)支撐營(yíng)運(yùn)，若2018年上半NAND Flash缺貨狀況改善，將有助于華泰產(chǎn)能利用率回升，有機(jī)會(huì)在2018年扭轉(zhuǎn)虧損。

另外，美光(Micron)在臺(tái)中設(shè)立封測(cè)廠后，對(duì)于力成、南茂等臺(tái)廠沖擊不小，南茂主要承接的美光內(nèi)存封測(cè)訂單多轉(zhuǎn)移至力成西安廠，南茂必須爭(zhēng)取大陸業(yè)者釋出的NOR Flash封測(cè)訂單，來(lái)彌補(bǔ)美光訂單的空缺，預(yù)期第4季營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)僅能與第3季持平，然因長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)NAND Flash進(jìn)度優(yōu)于預(yù)期，2018年?duì)幦￠L(zhǎng)江存儲(chǔ)訂單將成為一個(gè)選項(xiàng)。

對(duì)于亟欲重返DRAM封測(cè)的硅品來(lái)說(shuō)，由于美光與聯(lián)電晉華的專利權(quán)官司未解決，未來(lái)在DRAM封測(cè)的布局尚有變量。業(yè)界人士透露，內(nèi)存成為整體半導(dǎo)體成長(zhǎng)的主要?jiǎng)幽?，產(chǎn)業(yè)可望回溫3~5年，由于硅品蘇州廠已經(jīng)讓紫光取得3成股權(quán)，業(yè)界看好未來(lái)硅品與紫光集團(tuán)合作將進(jìn)一步深化，并爭(zhēng)取長(zhǎng)江存儲(chǔ)內(nèi)存封測(cè)訂單。

封測(cè)業(yè)者表示，內(nèi)存缺貨漲價(jià)對(duì)于后段封測(cè)廠并不利，因?yàn)榱磕軣o(wú)法提升，且內(nèi)存廠會(huì)把訂單分配給關(guān)系較好的合作廠商。晶圓測(cè)試業(yè)者坦言，目前提供內(nèi)存晶圓測(cè)試探針卡的業(yè)者，在內(nèi)存客戶端的接單狀況都是滿載，內(nèi)存后市相當(dāng)受到期待，但對(duì)于模塊廠、后段封測(cè)廠來(lái)說(shuō)，仍有待整體供需狀況進(jìn)一步平衡。

內(nèi)存封測(cè)龍頭力成11月?tīng)I(yíng)收一舉沖上新臺(tái)幣56.32億元，月增1.87%，寫下單月歷史新高，估計(jì)第4季可望挑戰(zhàn)單季新高，全年?duì)I收成長(zhǎng)兩位數(shù)無(wú)虞，累計(jì)1~11月?tīng)I(yíng)收年增23.59%。力成先前表示，第4季來(lái)自邏輯IC封測(cè)貢獻(xiàn)將優(yōu)于季節(jié)性表現(xiàn)。