隨著對大容量存儲需求的不斷增長，QLC技術(shù)憑借更高存儲密度、更低廉的bit成本，成為各大原廠的“新寵”，基于QLC技術(shù)的固態(tài)硬盤也相繼問世，并且這些QLC技術(shù)產(chǎn)品無不例外的被注明為適用于讀密集型應(yīng)用場景。

如何評價固態(tài)硬盤磨損？

一直以來QLC技術(shù)因為其穩(wěn)定性較差以及P/E壽命僅為SLC的百分之一而備受質(zhì)疑。殊不知，這種傳統(tǒng)的評價體系對于QLC可能有失公允。

不同于HDD可用新數(shù)據(jù)直接覆蓋現(xiàn)有數(shù)據(jù)，基于NAND Flash的固態(tài)硬盤在寫入時，必須在寫入之前執(zhí)行擦除動作，這個寫入/擦除的周期成為P/E周期。由于QLC的寫入壽命相較于SLC，MLC和TLC最差，因此P/E壽命最短。

對于QLC NAND Flash因為每個cell里面的bit數(shù)量增多，單位面積容量就越高，同時會導(dǎo)致不同電壓狀態(tài)越多，并且越難控制，穩(wěn)定性越差，P/E壽命也越差。

然而，我們之前忽略了NAND Flash顆粒的一個閃光點，即NAND Flash顆粒僅在寫入時會產(chǎn)生磨損，而讀取應(yīng)用產(chǎn)生的磨損微不足道。而HDD在讀取和寫入時均會產(chǎn)生磨損。

隨著SSD應(yīng)用的不斷擴展，P/E周期已經(jīng)不能用來客觀評價SSD壽命。業(yè)界逐漸形成了以存儲設(shè)備具有額定磨損值來討論SSD的耐久性，通常用每日硬盤寫入量DWPD表示，DWPD=TBW/[（驅(qū)動器容量）*（保修期（天）]（其中TBW指硬盤總寫入量）。

不要高估DWPD需求，很多高速增長的存儲需求所需要的DWPD都較低

隨著5G應(yīng)用的逐步推廣，我們將進(jìn)入數(shù)據(jù)大爆炸時代，業(yè)內(nèi)人士指出，人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、機器學(xué)習(xí)、大數(shù)據(jù)分析等產(chǎn)生的海量數(shù)據(jù)大部分是以讀為中心的工作負(fù)載。

由于讀操作對NAND Flash幾乎不會產(chǎn)生磨損，因此這些以讀為中心的應(yīng)用程序非常適合SSD。在早期，因為業(yè)內(nèi)高估了人們對寫操作的要求，通常要求SSD具有比較高的DWPD，隨著業(yè)界對工作負(fù)載讀/寫配置文件有了更好的了解，發(fā)現(xiàn)隨著時間的推移，DWPD需求是急速減少的。

取長補短，各大廠商紛紛發(fā)掘QLC優(yōu)勢，高密度存儲時代到來！

各大原廠紛紛看好QLC成長空間，并取長補短的技術(shù)策略，三星、美光及西部數(shù)據(jù)充分發(fā)揮QLC在讀取密集型應(yīng)用的長處，并通過技術(shù)改善大幅度提升產(chǎn)品的耐久性。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士消息，除了英特爾，美光也已經(jīng)出貨基于QLC NAND的SSD產(chǎn)品，更在日前發(fā)布了基于3D XPoint技術(shù)的首款SSD；SK海力士也于今年5月份送樣1Tb QLC NAND樣品；三星在2018年11月份也宣布推出基于QLC NAND的SSD產(chǎn)品；鎧俠和西部數(shù)據(jù)早在2017年就宣稱已成功研發(fā)出96層QLC技術(shù)，并積極推進(jìn)QLC的普及。

在技術(shù)密集型的存儲市場，以需求為動力的技術(shù)迭代永不停歇，同時技術(shù)也是每家企業(yè)的立足之本。長期來看，隨著大數(shù)據(jù)時代的到來會有越來越多新興技術(shù)產(chǎn)生并推動社會的進(jìn)步。