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DIGITIMES Research觀察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應(yīng)3D NAND Flash的主要業(yè)者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等內(nèi)存業(yè)者陸續(xù)量產(chǎn)3D NAND Flash，三星獨(dú)家供應(yīng)3D NAND Flash的狀況將改變，不過(guò)，三星已及早規(guī)劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆棧架構(gòu)邁進(jìn)，短期內(nèi)仍將掌握產(chǎn)能與技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

三星已自2013年下半起陸續(xù)量產(chǎn)24層、32層、48層3D NAND Flash，2016年下半將量產(chǎn)64層3D NAND Flash，除大陸西安廠外，亦將南韓京畿道華城廠Fab 16朝3D NAND Flash轉(zhuǎn)換，并規(guī)劃華城廠Fab 17一部分空間用于增產(chǎn)3D NAND Flash，且其興建中的京畿道平澤新廠將涵蓋生產(chǎn)次世代3D NAND Flash，以建構(gòu)3D NAND Flash三大生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)。

2016年上半東芝已少量生產(chǎn)48層3D NAND Flash，待2016年第2季其位于日本三重縣四日市工廠的第二棟廠房重建完畢，將朝正式量產(chǎn)邁進(jìn)。為拉近落后于三星的距離，東芝與SanDisk陣營(yíng)正檢討2016年下半量產(chǎn)64層3D NAND Flash的可能性。

至于美光／英特爾(Intel)陣營(yíng)及SK海力士，2016年上半皆已有32層3D NAND Flash樣品，2016年下半可能量產(chǎn)32層／48層3D NAND Flash。

DIGITIMES Research觀察，三星已確立在大陸西安、南韓京畿道華城及平澤建構(gòu)3D NAND Flash三大生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)，其他內(nèi)存業(yè)者不僅3D NAND Flash產(chǎn)能難以與之抗衡，技術(shù)亦不易迎頭趕上。

2016年下半3D NAND Flash供貨家數(shù)將增加　競(jìng)爭(zhēng)趨于激烈

三星系全球最早量產(chǎn)3D NAND Flash的業(yè)者，已自2013年下半起陸續(xù)量產(chǎn)24層、32層、48層3D NAND Flash，2016年下半三星將量產(chǎn)64層3D NAND Flash，以維持技術(shù)領(lǐng)先態(tài)勢(shì)。

觀察其他內(nèi)存業(yè)者于3D NAND Flash量產(chǎn)規(guī)畫，東芝主要將在日本三重縣四日市工廠的第二棟廠房生產(chǎn)3D NAND Flash，隨該廠房將于2016年第2季重建完畢，可望自原先少量生產(chǎn)48層3D NAND Flash，朝正式量產(chǎn)邁進(jìn)，且東芝與SanDisk陣營(yíng)正檢討2016年下半量產(chǎn)64層3D NAND Flash的可能性，以加速拉近其落后于三星的距離。

至于美光／英特爾陣營(yíng)及SK海力士，2016年上半皆已有32層3D NAND Flash樣品，2016年下半可能量產(chǎn)32層／48層3D NAND Flash，其中，美光主要于新加坡、SK海力士則于南韓忠清北道清州M12工廠建構(gòu)3D NAND Flash產(chǎn)能。

2016年下半內(nèi)存業(yè)者別3D NAND Flash量產(chǎn)規(guī)畫

數(shù)據(jù)源：各公司、三星證券，DIGITIMES整理，2016/6

整體觀察，2016年下半隨東芝、美光與SK海力士將陸續(xù)量產(chǎn)3D NAND Flash，原先由三星獨(dú)家供應(yīng)3D NAND Flash的狀況將改變，也意味3D NAND Flash市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)將趨激烈。

三星將建構(gòu)3D NAND Flash三大生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)　以掌握產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)

觀察三星于3D NAND Flash投資計(jì)劃，其大陸西安廠自2014年啟用以來(lái)，已歷經(jīng)第一、第二階段投資，逐步將西安廠3D NAND Flash月投片量(以12吋晶圓為準(zhǔn))提升至2016年6月底的10萬(wàn)片左右。

2016年上半三星大陸西安廠主要量產(chǎn)32層3D NAND Flash，亦生產(chǎn)48層產(chǎn)品，并逐漸具備生產(chǎn)64層產(chǎn)品的能力，該廠所供應(yīng)3D NAND Flash主要搭載于三星自有品牌SSD產(chǎn)品。

另一方面，三星已自2015年下半起著手將其位于南韓華城廠Fab 16的16奈米2D NAND產(chǎn)線移轉(zhuǎn)為20奈米48層3D NAND Flash產(chǎn)線，主要將供應(yīng)給蘋果(Apple) iPhone7搭載使用。其華城廠Fab 16亦可望自2016年下半起朝64層產(chǎn)品轉(zhuǎn)換。

三星華城廠Fab 17原先規(guī)劃用于系統(tǒng)LSI用途，然受到智能型手機(jī)成長(zhǎng)趨緩，及蘋果將應(yīng)用處理器訂單轉(zhuǎn)給臺(tái)積電代工等因素影響，三星Fab 17第一階段投資改成DRAM，第二階段雖尚未明確公布，但可望自2016年下半起將部分空間用于增產(chǎn)3D NAND Flash。

至于三星尚在興建中的南韓京畿道平澤新廠，將有一部分空間用于生產(chǎn)次世代3D NAND Flash，其目標(biāo)為2017年底前建構(gòu)完成。

2014~2017年三星于3D NAND Flash投資計(jì)劃

數(shù)據(jù)源：三星電子、三星證券，DIGITIMES整理，2016/6

整體觀察，三星計(jì)劃在大陸西安、南韓京畿道華城及平澤建構(gòu)3D NAND Flash三大生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)，對(duì)照2016年下半東芝、美光及SK海力士于3D NAND Flash皆尚處初步量產(chǎn)階段，三星短期內(nèi)仍將掌握3D NAND Flash產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)。

三星將于大陸西安與南韓京畿道建構(gòu)3D NAND Flash三大生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)

數(shù)據(jù)源：三星電子、三星證券，DIGITIMES整理，2016/6

結(jié)語(yǔ)

三星于全球3D NAND Flash產(chǎn)業(yè)居領(lǐng)先地位，至2016年上半為止，三星已量產(chǎn)24層、32層、48層3D NAND Flash，2016年下半其將再量產(chǎn)64層產(chǎn)品，反觀東芝計(jì)劃2016年下半正式量產(chǎn)48層3D NAND Flash，美光與SK海力士亦可望于2016年下半量產(chǎn)32層／48層產(chǎn)品，顯示其他業(yè)者要追趕上三星3D NAND Flash技術(shù)仍需一段時(shí)間。

至2017年為止全球主要內(nèi)存業(yè)者于供應(yīng)3D NAND Flash時(shí)程表

數(shù)據(jù)源：各公司、三星證券，DIGITIMES整理，2016/6

在產(chǎn)能布建方面，2016年上半三星大陸西安廠3D NAND Flash月投片量(以12吋晶圓為準(zhǔn))已達(dá)10萬(wàn)片左右，加上三星南韓華城廠Fab 16朝3D制程切換、Fab 17將涵蓋增產(chǎn)3D NAND Flash，及平澤新廠將囊括生產(chǎn)次世代3D NAND Flash，可看出三星已及早規(guī)劃于大陸西安、南韓京畿道華城及平澤布建3D NAND Flash產(chǎn)能。

對(duì)照2016年下半東芝、美光及SK海力士雖將依序于日本四日市、新加坡及南韓清州量產(chǎn)3D NAND Flash，然皆尚處于初步量產(chǎn)階段，短期內(nèi)此3家業(yè)者的3D NAND Flash產(chǎn)能仍將難與三星抗衡。

2016年下半3D NAND Flash,三星仍將具產(chǎn)能與技術(shù)優(yōu)勢(shì)