3D NAND可以簡單理解為“蓋樓”，在占地面積固定的情況下， 樓層越高，容量也就越大。今天（8月6日），三星宣布全球第一個投產(chǎn)超100層的3D NAND。

三星稱，基于136層堆疊、256Gb（32GB）的第六代V NAND（3bit，也就是TLC）芯片6月量產(chǎn)，7月份，SSD進(jìn)入量產(chǎn)，數(shù)據(jù)傳輸速率為業(yè)內(nèi)最快。

首款應(yīng)用超100層堆疊第六代V NAND閃存的是250GB的SATA 3入門級SSD產(chǎn)品，性能提升10%、功耗降低15%、生產(chǎn)效率提升20%。

三星計劃下半年推出基于512Gb第六代TLC的SSD和UFS閃存芯片，以滿足更多客戶需求。

三星V NAND迭代路線圖