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三星完成第三代10納米超高性能和高功效DRAM研發(fā)

發(fā)布時間 : 2019-04-22    文章來源:


      【天極網(wǎng)DIY硬件頻道】三星在2017、2018成為全球最大的半導(dǎo)體制造商,主要得益于急速擴張的DRAM內(nèi)存和NAND Flash閃存市場。

  三星電子(Samsung Electronics)公開業(yè)界首款第三代10納米級(1z-nm)8GB超高性能和高功效的DRAM(Dynamic Random Access Memory,動態(tài)隨機存取存儲器)。三星計劃在今年下半年開始批量生產(chǎn),以適應(yīng)下一代企業(yè)服務(wù)器和2020年推出的高端PC。

三星完成第三代10納米超高性能和高功效DRAM研發(fā)

  三星已經(jīng)在第二代8GB DDR4上采用10nm工藝,只是其需要借助極紫外光刻機(Extreme Ultra-Violet)進行輔助生產(chǎn)。在16個月后,,三星電子研發(fā)出不使用極紫外線光刻機即可生產(chǎn)的10納米級(1z-nm)8GB第三代DDR4,這將改變?nèi)窃贒RAM存儲的擴展極限。

  三星在開發(fā)完成10納米級(1z-nm)DRAM后,將加快向下一代DRAM接口(DDR5、LPDDR5和GDDR6)過渡,為后續(xù)產(chǎn)品量產(chǎn)打下基礎(chǔ)。更高性能的和更大容量的10納米級(1z-nm)產(chǎn)品,將增強三星的市場競爭力,鞏固其在高端DRAM市場地位,包括服務(wù)器、圖形和移動設(shè)備等領(lǐng)域。

  三星電子DRAM產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁李榮培(Jung Bae Lee)表示:“我們致力于突破技術(shù)領(lǐng)域的最大挑戰(zhàn),推動實現(xiàn)更大的創(chuàng)新。很高興能再次為下一代DRAM的穩(wěn)定生產(chǎn)奠定基礎(chǔ),確保性能和能源效率的最大化。隨著我們推出10納米級(1z-nm)的DRAM系列產(chǎn)品,三星將繼續(xù)致力于支持其全球客戶部署尖端系統(tǒng),并推動高端內(nèi)存市場的增長。”

三星完成第三代10納米超高性能和高功效DRAM研發(fā)

  三星在完成與一家CPU制造商對于8GB DDR4模塊的全面驗證后,將積極與全球客戶合作,向其提供一系列即將面世的內(nèi)存解決方案。為了滿足目前的行業(yè)需求,三星計劃在其Pyeongtaek網(wǎng)站增加主要內(nèi)存生產(chǎn)的比重,同時與全球IT客戶合作,以滿足市場對最先進DRAM產(chǎn)品日益增長的需求。

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