三星在NVIDIA的GPU技術(shù)大會(huì)（GTC）上發(fā)布了新的高帶寬HBM2E產(chǎn)品，為下一代超級(jí)計(jì)算機(jī)、圖形系統(tǒng)和人工智能（AI）等提供更高的DRAM性能水平。

三星曾在2018年1月宣布開(kāi)始批量生產(chǎn)第二代8GB高帶寬HBM2產(chǎn)品，每個(gè)引腳提供2.4Gbps數(shù)據(jù)傳輸速度。三星新一代的HBM2E每個(gè)引腳提供3.2Gbps數(shù)據(jù)傳輸速度，比上一代HBM2快33%。Flashbolt的每個(gè)芯片密度為16Gb，是上一代產(chǎn)品的兩倍。

三星通過(guò)不斷的創(chuàng)新和改進(jìn)，單個(gè)HBM2E封裝芯片將提供410GBps的數(shù)據(jù)帶寬和16GB容量。

除了三星，SK海力士曾在2017年8月宣布量產(chǎn)HBM2產(chǎn)品，分別是2GB、4GB、8GB容量，最高寬帶可高達(dá)256GB/s的帶寬，在2018年度報(bào)告中也表示，將積極響應(yīng)客戶對(duì)HBM2和GDDR6產(chǎn)品的需求。

HBM（High bandwidth memory）主要是與GDDR展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)，在消費(fèi)類市場(chǎng)，AMD RX Vega、NVIDIA Titan V等極少數(shù)產(chǎn)品應(yīng)用了HBM2，專業(yè)市場(chǎng)AMD Radeon Instinct、NVIDIA Tesla的需求更大，但是成本是其普及的最大制約因素。

三星電子存儲(chǔ)產(chǎn)品規(guī)劃和應(yīng)用工程團(tuán)隊(duì)高級(jí)副總裁Jinman Han表示：“Flashbolt將為下一代數(shù)據(jù)中心、人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)和圖形應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先增強(qiáng)性能的解決方案，我們將繼續(xù)擴(kuò)大我們的優(yōu)質(zhì)DRAM產(chǎn)品，并不斷在高性能、高容量、低功耗存儲(chǔ)方面創(chuàng)新和進(jìn)步，以滿足市場(chǎng)需求。”

來(lái)源丨中國(guó)閃存市場(chǎng)