根據(jù)外媒 OptoCrypto 消息，美光 (Micron) 正在研發(fā)下一代 OLC NAND 存儲器，將會采用 8 層單元的 NAND 結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)更高的數(shù)據(jù)密度。

2018 年 5 月，美光就推出了 4 層單元的 NAND 技術(shù)，即 QLC NAND。當(dāng)時美光公司股價出乎意料的下跌，這不僅是因?yàn)?QLC 技術(shù)的引入，更是由于 NAND 存儲成本、供需因素等復(fù)雜的因素導(dǎo)致。

美光公司現(xiàn)在打算在 2019 第一季度或最遲第二季度發(fā)布 8 層單元 (Octa-Level Cell, OLC) NAND 存儲器。

美光曾對一篇在 2 月 8 日發(fā)表于 WCCFtech 網(wǎng)站上關(guān)于 OLC 技術(shù)的文章進(jìn)行評論，確認(rèn)文中提到的技術(shù)已發(fā)明成功。

除此之外，公司不做其他任何進(jìn)一步評論。美光是存儲及存儲解決方案的國際化領(lǐng)頭企業(yè)，將繼續(xù)推動創(chuàng)新，為客戶帶來價值。

然而，WCCFtech 似乎有了新的證據(jù)來證實(shí)這一消息。它透露道，美光的合作伙伴之一已經(jīng)告知他們將計(jì)劃在 2019 年上半年宣布 OLC NAND 閃存，進(jìn)一步確認(rèn)了信息的準(zhǔn)確性。

目前，OLC NAND 閃存甚至尚未公布，因此消息源不僅暗示了它的存在，而且也揭示了預(yù)期的發(fā)布時間。

美光的 OLC NAND 技術(shù)在每個 cell 單元里提供了 8 bit 的數(shù)據(jù)，目的是為了在 QLC (每個cell) 基礎(chǔ)上作出 100% 的性能提升。同時，也是第一個本質(zhì)上實(shí)現(xiàn)每個 cell 單元里含有 1 byte 的技術(shù)。

這種密度的增加遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了摩爾定律 (假設(shè)cell大小并沒有增加太多)，同時也刺激了該產(chǎn)業(yè)的相互競爭，促使及推動了類似競品的研發(fā)面世。

在恒定大小下，不斷地增加數(shù)據(jù)密度也會提高SSD的價格，并讓固體硬盤擁有更大的容量。