由于目前國際貿(mào)易關(guān)系不太融洽，導(dǎo)致了市場的不確定性大增。另外英特爾處理器的缺貨，影響全球智能型手機(jī)及計(jì)算機(jī)的銷售，也導(dǎo)致 DRAM 及 NAND Flash 出貨供給過剩壓力，明年價(jià)格看跌。

為了在低迷的市況中維持住盈利能力，存儲(chǔ)器大廠三星 (Samsung) 及美光 (Micron) 已相繼傳將下調(diào)明年 DRAM 及 NAND Flash 位元出貨量消息，業(yè)界認(rèn)為有助于減少跌價(jià)壓力，對南亞科 (Nanya) 及群聯(lián) (Phison) 明年?duì)I運(yùn)將是一大利多。

根據(jù)韓國外電，三星計(jì)劃 2019 年減少存儲(chǔ)器產(chǎn)量，DRAM 位元出貨量由原本預(yù)估的 20％ 以上，降至低于 20％；NAND Flash 位元出貨量則由 40％ 下修至 30％。

三星平澤二廠原本預(yù)期明年上半年完工，但因市場供給過剩，該廠增產(chǎn)及擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃恐延緩，以限制產(chǎn)能增加并降低 DRAM 跌價(jià)速度及幅度，據(jù)了解，三星已考量將擴(kuò)增 4 萬片月產(chǎn)能下修至 2～3萬片。

另外，美光也在日前法說會(huì)中透露下修明年出貨目標(biāo)計(jì)劃。美光指出因?yàn)橹悄苄褪謾C(jī)出貨衰退，加上英特爾處理器缺貨影響 PC 出貨，2019 年資本支出將由原先預(yù)期的 105 億美元下修至 90 億美元。

同時(shí)，美光將明年 DRAM 位元出貨量目標(biāo)由原本預(yù)估的 20％ 下修至 16％，NAND Flash 位元出貨量則由原先預(yù)估 35～40％ 下修至 35％。

至于韓國另一存儲(chǔ)器大廠 SK 海力士，雖然尚未說明 2019 年的出貨目標(biāo)，但曾表示會(huì)減少資本支出，以控制出貨量增長率及減緩下一步投資計(jì)劃。與東芝合作的西部數(shù)據(jù)（WD）同樣釋出將放緩明年 NAND Flash 新產(chǎn)能投資，以避免價(jià)格持續(xù)大跌影響獲利。

從存儲(chǔ)器大廠調(diào)降明年位元出貨目標(biāo)的動(dòng)作來看，DRAM 及 NAND Flash 的位元出貨量增長率，將會(huì)被控制在與市場需求增長率的幅度相符。

目前各大廠普遍預(yù)期明年 DRAM 位元需求量將較今年增長 15～20％，NAND Flash 位元需求量則較今年增長 35％ 左右。

業(yè)者指出，若位元增長率有效控制，跌價(jià)情況將明顯放緩，只要本身制程順利微縮，就可降低獲利大幅下滑壓力。

法人則指出，包括三星及美光等大廠若真能控制明年位元出貨量，DRAM 價(jià)格可望在明年第 2 季止跌，明年下半年應(yīng)可維持穩(wěn)定，以南亞科 20 奈米微縮十分順利情況來看，獲利不致于有太大的衰退。

NAND Flash 今年價(jià)格重挫七成以上，明年跌價(jià)幅度可望縮小在三成以內(nèi)，且跌價(jià)有助于提高終端需求，群聯(lián)明年獲利有機(jī)會(huì)優(yōu)于今年。

source：工商時(shí)報(bào)