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三星V-NAND SSD走向普及 2016年底NB搭載率上看40%

發(fā)布時(shí)間 : 2016-07-14    文章來(lái)源:

   三星電子PC市場(chǎng)上的新一代儲(chǔ)存媒介固態(tài)硬盤(SSD)開(kāi)始普及,三星電子(SamsungElectronics)是否可改變未來(lái)市場(chǎng)版圖,受到矚目。

  SSD是傳輸速度較傳統(tǒng)硬盤(HDD)速度快4倍以上,可耐受外來(lái)沖擊的儲(chǔ)存裝置。噪音和發(fā)熱問(wèn)題較少,擁有優(yōu)勢(shì),但價(jià)格較HDD高,且儲(chǔ)存容量較不足。
  據(jù)南韓Newsis引用市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce資料指出,2016年第4季出貨的筆記本電腦(NB)中,SSD的搭載比重將達(dá)40%以上。分析指出,第1季搭載SSD的NB比重占整體28~29%,預(yù)估到第4季為止將快速攀升的原因?yàn)镠DD的價(jià)格上揚(yáng),及V NAND產(chǎn)品的發(fā)展。

  一般稱為3D NAND Flash的技術(shù),是將芯片以垂直堆棧的方式,在較窄的面積上,實(shí)現(xiàn)低功率、電路集成度高的產(chǎn)品。不僅提升傳輸速度和生產(chǎn)效益,耗電量也降低。

  值得關(guān)注的是,V NAND是三星為了展現(xiàn)自家技術(shù)能力而使用的詞匯,顯示目前產(chǎn)品的發(fā)展由三星主導(dǎo)。報(bào)導(dǎo)指出,目前可大量生產(chǎn)3D NAND的企業(yè)僅三星一間。其他半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)企業(yè)約要到2017年上半才能量產(chǎn)。
  三星個(gè)人用SSD 2015年在全球市場(chǎng)上掌握了54%市占率,三星陸續(xù)推出SSD新產(chǎn)品,加速領(lǐng)導(dǎo)市場(chǎng),5月底三星更推出體積較10元硬幣更小的512GB SSD「BGA NVMe SSD」。一個(gè)封包內(nèi)建NAND Flash、DRAM和控制器,體積僅2.5吋HDD的1%。

  在2013年推出超薄型筆記本電腦專用SSD系列產(chǎn)品后,睽違3年再推出搭載面積縮減至5分之1的產(chǎn)品,展現(xiàn)技術(shù)力。三星表示,該產(chǎn)品可提升新一代PC的設(shè)計(jì)彈性。未來(lái)全球IT企業(yè)將可設(shè)計(jì)并推出更薄、更具設(shè)計(jì)感的創(chuàng)新PC。
  除尖端技術(shù)外,三星的普及型系列產(chǎn)品也持續(xù)調(diào)降價(jià)格,致力于推動(dòng)SSD大眾化。5月底三星追加推出750 EVO系列的500GB容量產(chǎn)品。三星2015年推出125GB和250GB產(chǎn)品,考慮消費(fèi)者需求,再推出大容量的500GB產(chǎn)品,并降低消費(fèi)者價(jià)格負(fù)擔(dān)。
新聞幕后:三星稱霸SSD市場(chǎng) 各家大廠醞釀反攻據(jù)南韓情報(bào)通信技術(shù)振興中心資料,全球SSD出貨量從2015年約1.1萬(wàn)顆,將會(huì)一路成長(zhǎng)到2020年的2.4萬(wàn)顆,預(yù)計(jì)這段期間的年平均成長(zhǎng)將會(huì)達(dá)到16.9%。另一方面,HDD則將從2014年的5.64萬(wàn)顆,衰退到2019年的4.2萬(wàn)顆,年平均負(fù)成長(zhǎng)率約為5.7%。
  到目前為止,全球SSD市場(chǎng)仍是由三星電子(Samsung Electronics)取得壓倒性的市占率。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IDC指出,三星擁有3D V-NAND技術(shù)的加持,在2015年SSD市場(chǎng)上,以營(yíng)收基準(zhǔn)來(lái)看,市占率為39.7%,而出貨量則是40.0%。
  為了要追上三星,英特爾(Intel)也開(kāi)始積極地展開(kāi)戰(zhàn)略投資。自2016年底開(kāi)始,將會(huì)導(dǎo)入比現(xiàn)有3D V-NAND更快,耐久度更好的3D Xpoint內(nèi)存,并投產(chǎn)以此為基礎(chǔ)的SSD Optane。英特爾預(yù)計(jì)自2016年下半開(kāi)始在大陸大連的內(nèi)存廠投資約55億美元進(jìn)行生產(chǎn)。
  另一方面,大陸則間接透過(guò)收購(gòu)新帝(SanDisk)來(lái)敲開(kāi)SSD市場(chǎng)大門。目前全球最大的HDD廠商為威騰(WD),威騰最大股東則是大陸清華紫光集團(tuán)。在2015年10月,威騰展開(kāi)了對(duì)新帝的收購(gòu),并在5月完成最后作業(yè)。
  在企業(yè)用SSD市場(chǎng)中,威騰和新帝合計(jì)市占率約為30%,超過(guò)了英特爾(24.6%)以及三星(20.6%)。此外,日本東芝(Toshiba)與SanDisk合作打造3D NAND新產(chǎn)線,大陸廠也紛紛發(fā)表了投資3D NAND部門的計(jì)劃。
  這些積極醞釀反攻的各家廠商們,也開(kāi)始逐步動(dòng)搖了三星在SSD市場(chǎng)的霸權(quán)地位。
  360°:3D V-NAND3D V-NAND是一種利用垂直堆棧技術(shù)的閃存,包括三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)和IBM等科技業(yè)者均開(kāi)發(fā)3D NAND,預(yù)計(jì)2014年時(shí)將可商用化。
  3D V-NAND無(wú)須縮小內(nèi)存單元(memory cell),而是利用3D堆棧技術(shù)封裝更多的單元,此技術(shù)有諸多好處,包括在一個(gè)較小的實(shí)體空間里提升容積率(Capacity/Volume ratio),如此將可降低干擾,編程時(shí)間也會(huì)縮短,再加上各單元互相鏈接長(zhǎng)度縮減,意味著電氣性能大為提升,總耗電量跟著減少。
  三星在2013年發(fā)布世界首款3D V-NAND(垂直閃存),采用電荷擷取閃存(CTF)架構(gòu),將電荷暫時(shí)儲(chǔ)存在閃存非導(dǎo)電層(Non-conductive Layer)的氮化硅(Silicon Nitride)通道中,改善浮點(diǎn)閘極方案中相鄰單元格互相干擾的弊病。
 三星目前已開(kāi)始量產(chǎn)第二代32層V-NAND,耗電量降低20%。此外,IM Flash  Technologies(IMFT,英特爾和美光合資企業(yè))、東芝和海力士(Hynix)等NAND廠商也各自有自己的V-Nand計(jì)劃。 


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